K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK000 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYK0 von Samsung Electronics und K4B4G1646E-BYK000 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,80 | $0,56 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Datenrate | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (BYK) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS-Latenz | 11 (CL-tRCD-tRP) | — |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | — | 1.25 ns |