K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK000 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYK0 por Samsung Electronics e K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Ativo
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K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK000
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,80 $0,56
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Tensão de alimentação 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Taxa de dados DDR3-1600 (800 MHz) —
Encapsulamento 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) 96-FBGA (BYK)
Temperatura de operação 0°C to +95°C (TC) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latência CAS 11 (CL-tRCD-tRP) —
Burst Length 8 (fixed), 4 (burst chop) —
On-Die Termination Yes (dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
RoHS Compliant —
Tamanho da memória — 4 Gbit
Speed Grade — DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle)
Clock Frequency — 800 MHz
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data]
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3)
Number of Banks — [DATA_NEEDED: bank count]
Die Process — Samsung E-die
Tipo de montagem — Surface Mount
Interface — Parallel
Recursos — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Access Time — 1.25 ns

Fichas técnicas e recursos

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