K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-125KBL Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYMATCV von Samsung Electronics und IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AktivISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $5,60 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4 Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | — | 0°C ~ 95°C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |