K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-125KBL 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMATCV メーカー: Samsung Electronics および IS43TR16256AL-125KBL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.90 | $5.60 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| メモリサイズ | 4 Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| データレート | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| ピン数 | 96 | — |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| インターフェース | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| 動作温度 | — | 0°C ~ 95°C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |