K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-125KBL Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics e IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AtivoISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,90 | $5,60 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Tamanho da memória | 4 Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Número de pinos | 96 | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| Latência CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Temperatura de operação | — | 0°C ~ 95°C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |