K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BIQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $44,55 | $4,25 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | — |
| Schnittstelle | DDR5 (parallel) | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Gehäuse | FBGA-82 | 82FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | BIQK (-BIQK bin) |
| Betriebstemperatur | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | 16 / 32 |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |