K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH086VB-BIQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $44,55 | $4,25 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | — |
| Interfaz | DDR5 (parallel) | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Encapsulado | FBGA-82 | 82FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | BIQK (-BIQK bin) |
| Temperatura de funcionamiento | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | 16 / 32 |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Estado del ciclo de vida | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |