K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RAH086VB-BIQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BIQK
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория DRAM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $44,55 $4,25
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Размер памяти 16 Gb —
Организация памяти 2G x 8 2G x 8
Скорость передачи данных 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
Напряжение питания 1.1 V —
Интерфейс DDR5 (parallel) DDR5 (CA reduced pin count)
Корпус FBGA-82 82FBGA
Тип монтажа Surface Mount —
Technology DRAM (volatile) —
Speed Grade BCWM BIQK (-BIQK bin)
Рабочая температура Commercial temperature range (per datasheet) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ECC On-die ECC On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length 32 (BL32, DDR5 standard) 16 / 32
Статус RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
Статус жизненного цикла Active —
Sub-channel Architecture Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) —
Density — 16 Gb
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Configuration — X8
Operating Mode — DLL enabled
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену