K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VP-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $44,55 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Datenrate | 5600 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Schnittstelle | Parallel | DDR5 (parallel) |
| Technology | DRAM DDR5 | DRAM (volatile) |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Gehäuse | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | FBGA-82 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Application Segment | Industrial | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Lebenszyklusstatus | Active | Active |
| RoHS-Status | unknown | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Speicherorganisation | — | 2G x 8 |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |