K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $44,55
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb 16 Gb
Memory Organization 2G x 8 —
Taxa de dados 5600 Mbps/pin 5600 Mbps
Tensão de alimentação 1.1 V 1.1 V
Interface Parallel DDR5 (parallel)
Technology DRAM DDR5 DRAM (volatile)
Memory Format DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Encapsulamento [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] FBGA-82
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Application Segment Industrial —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range (per datasheet)
Status do ciclo de vida Active Active
Status RoHS unknown Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Organização da memória — 2G x 8
Speed Grade — BCWM
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Fichas técnicas e recursos

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