K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VP-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VB-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $44,55
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb 16 Gb
Memory Organization 2G x 8 —
Débit de données 5600 Mbps/pin 5600 Mbps
Tension d'alimentation 1.1 V 1.1 V
Interface Parallel DDR5 (parallel)
Technology DRAM DDR5 DRAM (volatile)
Memory Format DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Boîtier [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] FBGA-82
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Application Segment Industrial —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range (per datasheet)
Statut du cycle de vie Active Active
Statut RoHS unknown Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Speed Grade — BCWM
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Fiches techniques et ressources

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