K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $44,55 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Interfaz | Parallel | DDR5 (parallel) |
| Technology | DRAM DDR5 | DRAM (volatile) |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Encapsulado | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | FBGA-82 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Application Segment | Industrial | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Estado del ciclo de vida | Active | Active |
| Estado RoHS | unknown | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Organización de memoria | — | 2G x 8 |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |