K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VP-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH165VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Datenrate | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | DRAM (volatile) |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Gehäuse | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 106-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Application Segment | Industrial | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Lebenszyklusstatus | Active | Active |
| RoHS-Status | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |