K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VP-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Débit de données | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | DRAM (volatile) |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 106-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Application Segment | Industrial | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Statut du cycle de vie | Active | Active |
| Statut RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |