K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH165VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Technology | DRAM DDR5 | — |
| Memory Format | DRAM | DRAM (volatile) |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Encapsulado | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | 106-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Application Segment | Industrial | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Estado del ciclo de vida | Active | Active |
| Estado RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| Características | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |