K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BIQK Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VB-BIWM von Samsung Electronics und K4RAH165VB-BIQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIQK
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Speicherorganisation 1G x 16 1G x 16
Datenrate 5600 Mbps 4800 Mbps (MT/s)
Versorgungsspannung 1.1 V —
Gehäuse 106-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
Betriebstemperatur 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) Yes
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
Montageart Surface Mount —
Standard Packaging 1000 units —
RoHS-Status Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
Marke — Samsung Semiconductor

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