K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BIQK Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH165VB-BIWM por Samsung Electronics e K4RAH165VB-BIQK por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIQK
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organização da memória 1G x 16 1G x 16
Taxa de dados 5600 Mbps 4800 Mbps (MT/s)
Tensão de alimentação 1.1 V —
Encapsulamento 106-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) Yes
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
Tipo de montagem Surface Mount —
Standard Packaging 1000 units —
Status RoHS Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
Marca — Samsung Semiconductor

Fichas técnicas e recursos

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