K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BIQK Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BIWM par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BIQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIQK
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Débit de données 5600 Mbps 4800 Mbps (MT/s)
Tension d'alimentation 1.1 V —
Boîtier 106-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
Température de fonctionnement 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) Yes
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
Type de montage Surface Mount —
Standard Packaging 1000 units —
Statut RoHS Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
Marque — Samsung Semiconductor

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