K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BIQK Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4RAH165VB-BIWM por Samsung Electronics y K4RAH165VB-BIQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Activo
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIQK
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memoria DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organización de memoria 1G x 16 1G x 16
Velocidad de datos 5600 Mbps 4800 Mbps (MT/s)
Tensión de alimentación 1.1 V —
Encapsulado 106-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) Yes
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
Tipo de montaje Surface Mount —
Standard Packaging 1000 units —
Estado RoHS Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
Marca — Samsung Semiconductor

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización