K4RBH165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RBH165VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RAH165VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RBH165VB-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,85 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 1G x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Data Rate Class | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) | — |
| Gehäuse | FBGA-106 | 106-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0C to +85C |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Write CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Operating Mode | DLL Enabled | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead Free | Yes | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Datenrate | — | 4800 Mbps |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| Lebenszyklusstatus | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |