K4RBH165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RBH165VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH165VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RBH165VB-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,85 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| Organización de memoria | 1G x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Data Rate Class | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) | — |
| Encapsulado | FBGA-106 | 106-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0C to +85C |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Write CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Operating Mode | DLL Enabled | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead Free | Yes | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Velocidad de datos | — | 4800 Mbps |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| Características | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| Estado del ciclo de vida | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |