K4RBH165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RBH165VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH165VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RBH165VB-BCWM K4RAH165VB-BCQK
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,85 $0,00
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organização da memória 1G x 16 —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Data Rate Class DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) —
Encapsulamento FBGA-106 106-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação 0C to +85C 0C to +85C
On-Die ECC Yes —
Write CRC Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Operating Mode DLL Enabled —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
Tamanho da memória — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Taxa de dados — 4800 Mbps
Error Correction — On-die ECC
Recursos — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
Status do ciclo de vida — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação