K4RBH165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH165VB-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,85 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Data Rate Class | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) | — |
| Boîtier | FBGA-106 | 106-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Write CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Operating Mode | DLL Enabled | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead Free | Yes | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Débit de données | — | 4800 Mbps |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| Statut du cycle de vie | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |