K4RBH165VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RBH165VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RHE165VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RBH165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,85 $0,00
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 24 Gb (3 GB)
Speicherorganisation 1G x 16 1G x 16
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Data Rate Class DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) —
Gehäuse FBGA-106 106 FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Betriebstemperatur 0C to +85C 0 to 85 C
On-Die ECC Yes —
Write CRC Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Operating Mode DLL Enabled —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Lead Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
Datenrate — 5600 Mbps
Versorgungsspannung — 1.1 V
Product Status — Mass Production
Schnittstelle — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

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