K4RBH165VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RBH165VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RBH165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,85 $0,00
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 24 Gb (3 GB)
Organização da memória 1G x 16 1G x 16
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Data Rate Class DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) —
Encapsulamento FBGA-106 106 FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Temperatura de operação 0C to +85C 0 to 85 C
On-Die ECC Yes —
Write CRC Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Operating Mode DLL Enabled —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Lead Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
Taxa de dados — 5600 Mbps
Tensão de alimentação — 1.1 V
Product Status — Mass Production
Interface — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Fichas técnicas e recursos

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