K4RBH165VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RBH165VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RHE165VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RBH165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $9,85 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 24 Gb (3 GB)
Организация памяти 1G x 16 1G x 16
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Data Rate Class DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) —
Корпус FBGA-106 106 FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (BGA)
Рабочая температура 0C to +85C 0 to 85 C
On-Die ECC Yes —
Write CRC Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Operating Mode DLL Enabled —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Lead Free Yes —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
Скорость передачи данных — 5600 Mbps
Напряжение питания — 1.1 V
Product Status — Mass Production
Интерфейс — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену