K4RBH165VB-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RBH165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,85 $0,00
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 24 Gb (3 GB)
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Data Rate Class DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) —
Boîtier FBGA-106 106 FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Température de fonctionnement 0C to +85C 0 to 85 C
On-Die ECC Yes —
Write CRC Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Operating Mode DLL Enabled —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Lead Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
Débit de données — 5600 Mbps
Tension d'alimentation — 1.1 V
Product Status — Mass Production
Interface — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Fiches techniques et ressources

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