K4RHE165VB-BCWM vs K4RHE086VP Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RHE165VB-BCWM von Samsung Electronics und K4RHE086VP von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RHE165VB-BCWM | K4RHE086VP |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DDR5 |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $9,90 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb (3 GB) | 24 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 16 | x8 |
| Datenrate | 5600 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | — |
| Gehäuse | 106 FBGA | — |
| Montageart | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0 to 85 C | — |
| Product Status | Mass Production | — |
| Schnittstelle | DDR5 (parallel, DDR) | — |
| Access Type | Synchronous | — |
| Clock Rate (nominal) | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) | — |
| Ball Count | 106 | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] | — |
| Process Node | — | 1a-class (D1a) |
| Package Type | — | FBGA |
| Schnittstellentyp | — | DDR5 (double data rate 5) |
| Maximum Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD in V] |
| On-Die ECC | — | Yes (DDR5 standard feature) |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Betriebstemperaturbereich | — | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Marke | — | Samsung Electronics |
| Product Family | — | Samsung K4RHE DDR5 series |
| Typical Application | — | Server / client DRAM modules |