K4RHE165VB-BCWM vs K4RHE086VP Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RHE165VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RHE086VP от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RHE086VP K4RHE086VP - Samsung 24Gb DDR5 DRAM | Samsung Electronics

K4RHE086VP - Samsung 24Gb DDR5 DRAM | Samsung Electronics

K4RHE086VP ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RHE165VB-BCWM K4RHE086VP
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DDR5
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $9,90
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) 24 Gb
Организация памяти 1G x 16 x8
Скорость передачи данных 5600 Mbps —
Напряжение питания 1.1 V —
Корпус 106 FBGA —
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount
Рабочая температура 0 to 85 C —
Product Status Mass Production —
Интерфейс DDR5 (parallel, DDR) —
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Process Node — 1a-class (D1a)
Package Type — FBGA
Тип интерфейса — DDR5 (double data rate 5)
Maximum Data Rate — [DATA_NEEDED: speed bin data rate]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD in V]
On-Die ECC — Yes (DDR5 standard feature)
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: temperature range]
Бренд — Samsung Electronics
Product Family — Samsung K4RHE DDR5 series
Typical Application — Server / client DRAM modules

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену