K4RHE165VB-BCWM vs K4RHE086VP 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RHE165VB-BCWM 제조: Samsung Electronics 및 K4RHE086VP 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ 활성
Samsung Electronics
K4RHE086VP K4RHE086VP - Samsung 24Gb DDR5 DRAM | Samsung Electronics

K4RHE086VP - Samsung 24Gb DDR5 DRAM | Samsung Electronics

K4RHE086VP ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4RHE165VB-BCWM K4RHE086VP
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs DDR5
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $9.90
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) 24 Gb
메모리 구성 1G x 16 x8
데이터 속도 5600 Mbps —
공급 전압 1.1 V —
패키지 106 FBGA —
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
동작 온도 0 to 85 C —
Product Status Mass Production —
인터페이스 DDR5 (parallel, DDR) —
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Process Node — 1a-class (D1a)
Package Type — FBGA
인터페이스 유형 — DDR5 (double data rate 5)
Maximum Data Rate — [DATA_NEEDED: speed bin data rate]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD in V]
On-Die ECC — Yes (DDR5 standard feature)
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: temperature range]
브랜드 — Samsung Electronics
Product Family — Samsung K4RHE DDR5 series
Typical Application — Server / client DRAM modules

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