K6F3216U6M-EF70T vs K6X0808C1D-BF70T Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K6F3216U6M-EF70T von Samsung Electronics und K6X0808C1D-BF70T von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K6F3216U6M-EF70T | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,10 | $1,05 |
| Speichertyp | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 32 Mbit | 256 Kbit |
| Speicherorganisation | 2M x 16 | — |
| Versorgungsspannung | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Technology | Full CMOS Static RAM | — |
| Gehäuse | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 28-SOP |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -40C to +85C (TA) |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS-Status | NO (per third-party listing) | Compliant |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | None (fully static operation) |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| Datenbusbreite | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |