K6F3216U6M-EF70T vs K6X0808C1D-BF70T 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6F3216U6M-EF70T 제조: Samsung Electronics 및 K6X0808C1D-BF70T 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K6F3216U6M-EF70T | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.10 | $1.05 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 32 Mbit | 256 Kbit |
| 메모리 구성 | 2M x 16 | — |
| 공급 전압 | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Technology | Full CMOS Static RAM | — |
| 패키지 | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 28-SOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -40C to +85C (TA) |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS 상태 | NO (per third-party listing) | Compliant |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | None (fully static operation) |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| 데이터 버스 폭 | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |