K6F3216U6M-EF70T vs K6X0808C1D-BF70T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6F3216U6M-EF70T par Samsung Electronics et K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K6F3216U6M-EF70T | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,10 | $1,05 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 32 Mbit | 256 Kbit |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Interface | Parallel | — |
| Technology | Full CMOS Static RAM | — |
| Boîtier | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 28-SOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -40C to +85C (TA) |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| Statut RoHS | NO (per third-party listing) | Compliant |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | None (fully static operation) |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| Largeur du bus de données | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |