M29F160FB55N3F2 vs M29W160EB70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F160FB55N3F2 von Micron Technology und M29W160EB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29F160FB55N3F2 | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Obsolete | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,60 | $1,76 |
| Speichertyp | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| Speicherorganisation | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 2M x8 / 1M x16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Versorgungsspannung | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| Betriebstemperatur | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS-Status | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Speichergröße | — | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Gehäuse / Bauform | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |