M29F160FB55N3F2 vs M29W160EB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F160FB55N3F2 par Micron Technology et M29W160EB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29F160FB55N3F2 | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Obsolete | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,60 | $1,76 |
| Type de mémoire | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| Organisation de la mémoire | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 2M x8 / 1M x16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| Température de fonctionnement | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Boîtier / Format | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |