M29F160FB55N3F2 vs M29W160EB70N3E Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F160FB55N3F2 por Micron Technology y M29W160EB70N3E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29F160FB55N3F2 | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Obsolete | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,60 | $1,76 |
| Tipo de memoria | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| Organización de memoria | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 2M x8 / 1M x16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Tensión de alimentación | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| Estado RoHS | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Encapsulado / Carcasa | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |