M29F160FB55N3F2 vs M29W160EB70N3E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F160FB55N3F2 por Micron Technology e M29W160EB70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete
Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F160FB55N3F2 M29W160EB70N3E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Obsolete Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,60 $1,76
Tipo de memória Parallel NOR Flash FLASH - NOR
Density 16777 kbits (16 Mbit) —
Organização da memória 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits 2M x8 / 1M x16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 70 ns
Tensão de alimentação 5 V —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Temperatura de operação -40 to +125 C -40C to +125C
Interface Parallel Parallel
Package Type 48-TSOP —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Termination Finish Lead-free (F2 suffix) —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Block Protection Hardware boot block protection —
Status RoHS Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed Grade (from MPN) 55 (55 ns) —
Tamanho da memória — 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us (typical)
Cell Type — SLC NOR
Encapsulamento / Caixa — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tray
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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