M29F160FT55N3F2 vs M29F160FB55N3E2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F160FT55N3F2 von Micron Technology und M29F160FB55N3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Aktiv
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M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F160FT55N3F2 M29F160FB55N3E2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Flash Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,90 $2,72
Speichertyp NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash - Parallel, Asynchronous
Density 16 Mbit (16777 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
Speicherorganisation 1M x 16 / 2M x 8 1 M x 16 / 2 M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
Schnittstelle Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40 C to +125 C
Gehäuse 48-Pin TSOP 48-TSOP I
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tray
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Boot Block — Bottom Boot Block (FB)
Programming Algorithm — Embedded byte/word program and erase controller
Lead Free Status — Lead Free

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