M29F160FT55N3F2 vs M29F160FB55N3E2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F160FT55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F160FB55N3E2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ 활성
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M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29F160FT55N3F2 M29F160FB55N3E2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Flash Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.90 $2.72
메모리 유형 NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash - Parallel, Asynchronous
Density 16 Mbit (16777 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
메모리 구성 1M x 16 / 2M x 8 1 M x 16 / 2 M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
인터페이스 Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
동작 온도 -40C to +125C -40 C to +125 C
패키지 48-Pin TSOP 48-TSOP I
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tray
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Boot Block — Bottom Boot Block (FB)
Programming Algorithm — Embedded byte/word program and erase controller
Lead Free Status — Lead Free

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