M29F160FT55N3F2 vs M29F160FB55N3E2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F160FT55N3F2 por Micron Technology y M29F160FB55N3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Activo
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M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F160FT55N3F2 M29F160FB55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Flash Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,90 $2,72
Tipo de memoria NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash - Parallel, Asynchronous
Density 16 Mbit (16777 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
Organización de memoria 1M x 16 / 2M x 8 1 M x 16 / 2 M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
Interfaz Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulado 48-Pin TSOP 48-TSOP I
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tray
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Boot Block — Bottom Boot Block (FB)
Programming Algorithm — Embedded byte/word program and erase controller
Lead Free Status — Lead Free

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