M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F200FB55N3F2 von Micron Technology und M29F200FT55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Aktiv
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M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F200FB55N3F2 M29F200FT55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,20 $0,00
Speichertyp Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Speicherorganisation 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 128 K (x16 mode) 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Top Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 48-TSOP I 48-pin TSOP
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR suffix)
Schnittstelle Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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