M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F200FB55N3F2 por Micron Technology y M29F200FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | M29F200FB55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,20 | $0,00 |
| Tipo de memoria | Parallel NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Organización de memoria | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Number of Words | 128 K (x16 mode) | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block (FB) | Top Boot Block |
| Programming | Embedded byte/word program algorithm | — |
| Erase | Embedded block erase controller | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulado | 48-TSOP I | 48-pin TSOP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR suffix) |
| Interfaz | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |