M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F200FB55N3F2 от Micron Technology и M29F200FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F200FB55N3F2 M29F200FT55N3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,20 $0,00
Тип памяти Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Организация памяти 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 128 K (x16 mode) 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Top Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-TSOP I 48-pin TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR suffix)
Интерфейс Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену