M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F200FB55N3F2 por Micron Technology e M29F200FT55N3F2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Ativo
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F200FB55N3F2 M29F200FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,20 $0,00
Tipo de memória Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organização da memória 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 128 K (x16 mode) 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Top Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulamento 48-TSOP I 48-pin TSOP
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR suffix)
Interface Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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