M29F200FT55N3E2 vs M29F200FB55N3E2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F200FT55N3E2 von Micron Technology und M29F200FB55N3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FT55N3E2 ✓ AktivMicron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ AbgekündigtSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F200FT55N3E2 | M29F200FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Ende des Lebenszyklus |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $4,45 |
| Speichertyp | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Memory Organization | 256K x 8 / 128K x 16 | — |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel, 8/16-bit selectable |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Versorgungsspannung | 5 V | — |
| Number of Words | 128 k | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Boot Block | Top boot block | — |
| Program / Erase | Embedded program/erase controller | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 48-TSOP I | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Bus Mode | Byte (x8) / Word (x16) selectable | — |
| Speicherorganisation | — | 256K x 8 / 128K x 16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Package Type | — | 48-pin TSOP I |
| Memory Cell Type | — | SLC NOR |