M29F200FT55N3E2 vs M29F200FB55N3E2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F200FT55N3E2 от Micron Technology и M29F200FB55N3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FT55N3E2 ✓ АктивенMicron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ Снят с производстваСравнение характеристик
| Параметр | M29F200FT55N3E2 | M29F200FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Снято с производства |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $4,45 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Memory Organization | 256K x 8 / 128K x 16 | — |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Интерфейс | Parallel | Parallel, 8/16-bit selectable |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Напряжение питания | 5 V | — |
| Number of Words | 128 k | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Boot Block | Top boot block | — |
| Program / Erase | Embedded program/erase controller | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Корпус | 48-TSOP I | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Bus Mode | Byte (x8) / Word (x16) selectable | — |
| Организация памяти | — | 256K x 8 / 128K x 16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Package Type | — | 48-pin TSOP I |
| Memory Cell Type | — | SLC NOR |