M29F200FT55N3E2 vs M29F200FB55N3E2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F200FT55N3E2 por Micron Technology y M29F200FB55N3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ Fin de vida

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F200FT55N3E2 M29F200FB55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Fin de vida
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $4,45
Tipo de memoria NOR Flash NOR Flash, Parallel
Memory Organization 256K x 8 / 128K x 16 —
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Interfaz Parallel Parallel, 8/16-bit selectable
Access Time 55 ns 55 ns
Tensión de alimentación 5 V —
Number of Words 128 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Top boot block —
Program / Erase Embedded program/erase controller —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 48-TSOP I —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bus Mode Byte (x8) / Word (x16) selectable —
Organización de memoria — 256K x 8 / 128K x 16
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 48-pin TSOP I
Memory Cell Type — SLC NOR

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