M29F200FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F200FT55N3F2 von Micron Technology und M29F160FT55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Aktiv
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F200FT55N3F2 M29F160FT55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Flash
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $4,90
Speichertyp NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
Speicherorganisation 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 48-pin TSOP 48-Pin TSOP
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)

Datenblätter & Ressourcen

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