M29F200FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F200FT55N3F2 par Micron Technology et M29F160FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F200FT55N3F2 M29F160FT55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Flash
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $4,90
Type de mémoire NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
Organisation de la mémoire 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier 48-pin TSOP 48-Pin TSOP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)

Fiches techniques et ressources

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