M29F200FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F200FT55N3F2 от Micron Technology и M29F160FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F200FT55N3F2 M29F160FT55N3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Flash
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $4,90
Тип памяти NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
Организация памяти 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-pin TSOP 48-Pin TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Интерфейс Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену